Name: Vishay Siliconix SI8812DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8812DB-T2-E1
Price: 0.1687 USD
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI8812DB-T2-E1

Artikelnummer:

SI8812DB-T2-E1

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI8812DB-T2-E1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI8812DB-T2-E1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±5V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	4-Microfoot
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)	500mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	4-UFBGA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 8 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.3A (Ta)
Grundproduktnummer	SI8812
SI8812DB-T2-E1 Einzelheiten PDF [English]	SI8812DB-T2-E1 PDF - EN.pdf

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